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自動(dòng)化高速薄膜厚度測(cè)量?jī)x

簡(jiǎn)要描述:薄膜厚度測(cè)量的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件:分光計(jì)、復(fù)合光源(壽命10000小時(shí))、高精度反射探頭。因此,在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。

  • 產(chǎn)品型號(hào):FR-Scanner
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:查看pdf文檔
  • 更新時(shí)間:2024-08-21
  • 訪  問  量: 9051

詳細(xì)介紹

  薄膜厚度測(cè)量是指通過使用膜厚測(cè)量?jī)x器或設(shè)備來準(zhǔn)確測(cè)量薄膜、涂層或其他薄層材料的厚度。薄膜厚度的測(cè)量對(duì)于許多行業(yè)和領(lǐng)域都非常重要,例如電子、光學(xué)、材料科學(xué)、化工等。
  常見的方法和工具用于測(cè)量薄膜厚度包括:
  1、光學(xué)干涉法:通過光學(xué)干涉原理測(cè)量薄膜的厚度,利用干涉儀器如白光干涉儀或激光干涉儀進(jìn)行測(cè)量。
  2、X射線熒光測(cè)厚儀:利用X射線照射樣品表面,通過測(cè)量熒光光譜來確定薄膜厚度。
  3、聲表面波測(cè)量?jī)x:利用超聲波在薄膜表面?zhèn)鞑サ奶匦詠頊y(cè)量薄膜厚度。
  4、拉伸法:通過在不同拉伸條件下測(cè)量薄膜的拉伸性能來間接推斷薄膜厚度。
  5、柱形法:利用柱形物的體積變化來測(cè)量薄膜的厚度。
  在進(jìn)行薄膜厚度測(cè)量時(shí),需要選擇適合的測(cè)量方法和儀器,按照操作說明進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量,確保結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。同時(shí),在實(shí)際應(yīng)用中,還需要考慮樣品的特性、表面處理情況以及測(cè)量精度要求等因素。

  Thetametrisis薄膜厚度測(cè)量?jī)x FR-Scanner 是一種緊湊的臺(tái)式工具,適用于自動(dòng)測(cè)繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快速和準(zhǔn)確測(cè)量薄膜特性:厚度,折射率,均勻性,顏色等。真空吸盤可應(yīng)用于任何直徑或其他形狀的樣片。
  1、應(yīng)用
  半導(dǎo)體生產(chǎn)制造:(光刻膠, 電介質(zhì),光子多層結(jié)構(gòu), poly-Si, Si, DLC, )
  光伏產(chǎn)業(yè)
  液晶顯示
  光學(xué)薄膜
  聚合物
  微機(jī)電系統(tǒng)和微光機(jī)電系統(tǒng)
  基底:透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明
  Thetametrisis薄膜厚度測(cè)量?jī)x的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件:分光計(jì)、復(fù)合光源(壽命10000小時(shí))、高精度反射探頭。因此,在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。
  Thetametrisis薄膜厚度測(cè)量?jī)x FR-Scanner 通過高速旋轉(zhuǎn)平臺(tái)和光學(xué)探頭直線移動(dòng)掃描晶圓片(極坐標(biāo)掃描)。通過這種方法,可以在很短的時(shí)間內(nèi)記錄具有高重復(fù)性的精確反射率數(shù)據(jù),這使得FR-Scanner 成為測(cè)繪晶圓涂層或其他基片涂層的理想工具。
  2、特征
  單點(diǎn)分析(不需要預(yù)估值)
  動(dòng)態(tài)測(cè)量
  包括光學(xué)參數(shù)(n和k,顏色) o 為演示保存視頻
  600 多種的預(yù)存材料
  離線分析
  免費(fèi)軟件更新

  3、性能參數(shù)


  4、測(cè)量原理
  白光反射光譜(WLRS)是測(cè)量從單層薄膜或多層堆疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)波長范圍內(nèi)光的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計(jì)算確定(透明或部分透明或*反射基板上)的薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)(n和k)等。


 
  1、樣片平臺(tái)可容納任意形狀的樣品。450mm平臺(tái)也可根據(jù)要求提供。真正的X-Y掃描也可能通過定制配置;
  2、硅基板上的單層SiO2薄膜的厚度值。對(duì)于其他薄膜/基質(zhì),這些值可能略有不同;
  3、15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)差平均值。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅;
  4、2 X (超過15天的日平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差)。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅;
  5、測(cè)量結(jié)果與校準(zhǔn)的光譜橢偏儀比較;
  6、根據(jù)材料;
  7、測(cè)量以8 "晶圓為基準(zhǔn)。如有特殊要求,掃描速度可超過1000次測(cè)量/每分鐘;
  如果您想要了解更多關(guān)于Thetametrisis膜厚儀的產(chǎn)品信息,請(qǐng)聯(lián)系我們岱美儀器。
 

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